名称 | 参数 |
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产品分类 | |
OperatingCharacteristics | @f_偏移(MHz) :8 supply Voltage [typ] (V) :3.3 P_i(参考)[min](dBm) :-40 @f<sub>偏移量</sub>(kHz) :100 I<sub>CC</sub>[typ](毫安) :116 P<sub>o(RF)</sub>[typ](dBm) :-20 f_o(射频)[max](千兆赫) :15 f_o(射频)[min](千兆赫) :14.620001 f<sub>i(射频)</sub>[max](兆赫) :234.38 f<sub>i(射频)</sub>[min](兆赫) :228.44 VCO相位噪声密度[典型值](dB/Hz) :-109 合成器相位噪声密度[典型值](dBc/Hz) :-109 |
TFF1007HN/N1,115数据手册