首页 > 半导体> TLV313-Q1
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征 Cost Optimized, EMI Hardened, Small Size
评级 Automotive
建筑学 CMOS
铁路到铁路 In, Out
通道数(#) 1
封装|引脚|尺寸 SOT-SC70 (DCK) 5 4 mm² 2 x 2.1
工作温度范围(C) -40 to 125
GBW(典型)(兆赫) 1
回转率(典型)(V/us) 0.5
偏移漂移(典型)(uV/C) 2
共模抑制比(典型)(dB) 85
输出电流(典型值)(mA) 15
每通道智商(典型值)(mA) 0.065
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 26
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 5.5
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 1.8
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 3
TLV313-Q1数据手册
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