BSZ009NE2LS5前往购买
BSZ009NE2LS5规格参数_功能特性_现货出售
IC先生 网络 76 2023-12-07 13:08:44
英飞凌推出小型PQFN子集要33毫米封装的BSZ009NE2LS5 OptiMOS™5 25 v功率MOSFET,扩展了其高性能MOSFET产品系列该器件在10 v时提供业界最低的RDS(上)09年mΩ,主要针对或荷兰国际集团(ing)和负载切换应用。
BSZ009NE2LS5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.98 |
| Id (@ tc =25℃) | 223 A |
| ID(@25°C) | 223 A |
| IDpuls | 892 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 69 W |
| 包 | PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 52 nC |
| QG(类型@10V) | 92 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 1.2 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 0.9 mΩ |
| 特殊功能 | ORing/Efuse |
| VDS公司 | 25 V |
| vg (th) | 1.6 V 1.2 V 2 V |
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