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IPB65R660CFDA规格参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 52 2023-12-07 11:45:07
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。
IPB65R660CFDA的特性
- 市场首款 650V 汽车应用技术，集成体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲——自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低栅极电荷值 Q g
- 体二极管重复换向 Q rr 低且 Q oss 低
- 减少导通和关断延迟时间
- 符合 AEC Q101 标准
IPB65R660CFDA优势
- 阻断电压更高，提高安全裕度
- 降低电磁干扰，易于设计导入
- 提高轻载效率
- 开关损耗低
- 开关频率更高并且/或者占空比更高
- 高质量和可靠性
IPB65R660CFDA规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.93 |
| ID(@25°C) | 6 A |
| IDpuls | 17 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 62.5 W |
| 包 | PG-TO263-3 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 20 nC |
| 路上 | 20 nC |
| 资格 | Automotive |
| RDS(上) | 660 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 660 mΩ |
| 仅仅 | 2 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| RthJC | 2 K/W |
| 特殊功能 | automotive |
| 技术 | CoolMOS™ CFDA |
| 拓扑结构 | Full Bridge |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 4.5 V ; 3.5 V |
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