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IPLK80R750P7规格参数_功能特性_原装原厂

IC先生 网络 74 2023-12-07 12:55:52

800 v CoolMOS™p7超结MOSFET系列完全满足市场对性能,易用性和性价比的需求,非常适合低功耗smp应用它主要专注于反激应用,包括适配器和充电器、音频smp,辅助和工业电源与其前身以及在典型反激应用中测试的竞争对手部件相比,它提供高达06%的效率增益和2°C至8°C的MOSFET温度降低它还通过更低的开关损耗和更好的DPAK RDS(上)产品实现更高的功率密度设计总体而言,它帮助客户节省BOM成本并减少组装工作量ThinPAK x6 5封装的特点是占地面积非常小,为x6 5毫米²,高度为1毫米,非常低再加上其基准的低寄生,这些特性导致了更小的外形尺寸,并有助于提高功率密度这种组合使得ThinPAK5x6中的CoolMOS™p7非常适合其目标应用。


IPLK80R750P7


IPLK80R750P7的特性

  • 一流的fdm RDS(on) * Eoss;
  • 一流的DPAK RDS(上)280mΩ
  • 同类最佳电压(GS)为3V,最小电压(GS)变化±0.5V
  • 集成齐纳二极管ESD保护等级2级(HBM)
  • 一流的质量和可靠性
  • 低EMI
  • 大范围的RDS(on)值
  • 完全优化的投资组合

  • IPLK80R750P7优势

  • 与CoolMOS™C3相比,效率提高0.1%至0.6%,MOSFET温度降低2°C至8°C
  • 实现更高的功率密度设计,节省BOM并降低组装成本
  • 易于驾驶和设计
  • 与最新的CoolMOS™充电器技术相比,功率密度有所提高
  • 通过减少与ESD相关的故障来提高产量
  • 减少生产问题,降低油田收益
  • 易于选择合适的零件进行设计微调

  • IPLK80R750P7规格参数

    产品属性属性值
    ID 7 A
    ID(@25°C) 7 A
    IDpuls 17 A
    越来越多的SMT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 57 W
    ThinPAK 5x6
    销数8 Pins
    极性N
    路上17 nC
    QG(类型@10V)17 nC
    RDS(上) 750 mΩ
    RDS (on) (@10V) 750 mΩ
    VDS公司 800 V
    vg (th) 3 V   2.5 V   3.5 V
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    IPLK80R750P7规格参数_功能特性_原装原厂


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