IQD005N04NM6CG前往购买
IQD005N04NM6CG产品参数_产品特征_现货专卖
IC先生 网络 67 2023-12-07 11:48:12
功率MOSFET IQD005N04NM6CG 40 V正常电平采用PQFN 5 x6 mm2Source-Downpackage该部件的RDS(上)非常低,为05 mΩ,同时具有出色的热性能,易于功率损耗管理这为各种终端应用(如esmps,电池供电应用,电池管理和低压驱动)提供了更高的系统效率和功率密度。
IQD005N04NM6CG的特性
IQD005N04NM6CG优势
IQD005N04NM6CG规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 610 A |
| IDpuls | 2440 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 包 | PQFN 5x6 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 129 nC |
| RDS (on) (@10V) | 0.47 mΩ |
| VDS公司 | 40 V |
| vg (th) | 2.3 V 1.8 V 2.8 V |
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
