2EDF7275F前往购买
2EDF7275F产品参数_功能特性_原装现货
IC先生 网络 65 2023-12-07 12:54:56
EiceDRIVER™ 2EDF7x75F 完美适用于噪声高功率开关环境高边和低边 MOSFET 主级侧控制，实现稳健运行。强大的 4A/8A 拉/灌双通道栅极驱动器，可在驱动 CoolMOS™ 或 OptiMOS™ 等高压和中压 MOSFET 时进行快速开关。两个输出通道均单独隔离，可以灵活部署为浮动栅极驱动器，具有 150V/ns 极高 CMTI（共模噪声抗扰度）。
VDDi 输入电源支持宽域电压范围 SLDO 模式，节省板上 LDO。低速开关或驱动较小 MOSFET 时，可以选用 1A/2A 峰值电流产品型号 EiceDRIVER™ 2EDF7175F，该型号采用 DSO-16 窄体封装，具有 4mm 爬电距离。
2EDF7275F的特性
产品特性
- 快速功率开关，具有精准定时
- 针对占用空间和低成本系统 BOM 进行优化
- 稳健设计，降低开关噪声
- 输出到输出通道隔离
- 输入到输出通道隔离
2EDF7275F优势
产品优势
- 功率效率和高分辨率 PWM 控制
- 封装温度更低，外形更小
- 保护和安全运行
- 灵活分配任意驱动器通道
- 浮动栅极驱动和安全监管
系统优势
- 支持功率级效率和功率密度更高的设计
- 改进成本长期竞争力、集成和大规模生产能力
- 改进功率开关安全运行，延长最终产品使用寿命
- 接地隔离、驱动器靠近 MOSFET 或使用开尔文源极 MOSFET，降低 EMI
- 满足构建隔离交流-直流、直流-直流半桥拓扑的要求
2EDF7275F规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 1.42 ; 1.42 |
| 渠道 | 2 |
| 配置 | Half Bridge ; High-side and low-side ; High-side |
| 输入电源电压 | 3 V 3.3 V |
| 输入侧电源 | 20 V |
| 隔离型 | Galvanic isolation - Functional |
| 输出电流(吸收) | 8 A |
| 输出电流(源) | 4 A |
| 关闭传播延迟 | 37 ns |
| 打开传播延迟 | 37 ns |
| VBS UVLO(关闭) | 3.9 V |
| VBS UVLO(开) | 4.2 V |
| VCC UVLO(开) | 2.85 V |
| 电压等级 | 650 V |
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
