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1EDF5673F产品参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 56 2023-12-07 13:50:14
新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDF5673F非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极（二极管输入特性）和低阈值电压， 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作，同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。
1EDF5673F规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 渠道 | 1 |
| 配置 | High-side |
| 输入电源电压 | 3 V |
| 隔离型 | Galvanic isolation - Functional |
| 输出电流(吸收) | 8 A |
| 输出电流(源) | 4 A |
| 关闭传播延迟 | 41 ns |
| 打开传播延迟 | 37 ns |
| VBS UVLO(开) | 5.8 V |
| VBS UVLO(关闭) | 5.2 V |
| VCC UVLO(开) | 2.85 V |
| VCC UVLO(关闭) | 2.7 V |
| 电压等级 | 650 V |
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