IQD063N15NM5CG前往购买
IQD063N15NM5CG产品规格_功能图_原装原厂
IC先生 网络 74 2023-12-07 17:09:16
功率MOSFET IQD063N15NM5CG 150 v采用PQFN 5 x6 mm2Source-Downpackage该部件提供业界最低的RDS(上)63Ω,同时具有出色的热性能,易于功率损耗管理这为esmps,电信电力,服务器,太阳能、电池供电应用,中压驱动,无人机,机器人,轻型电动汽车和电池管理系统等各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。
IQD063N15NM5CG的特性
IQD063N15NM5CG优势
IQD063N15NM5CG规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 148 A |
| IDpuls | 592 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| 包 | PQFN 5x6 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 48 nC |
| RDS (on) (@10V) | 6.32 mΩ |
| VDS公司 | 150 V |
| vg (th) | 3.8 V 3 V 4.6 V |
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