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IPB018N10N5中文参数_功能图_现货专卖

IC先生 网络 76 2023-12-07 08:28:23

IPB018N10N5是英飞凌的soptimos™5功率mosfe18莫姆,100 V,采用行业标准D²PAK封装,用于表面贴装组装D²PAK中的OptiMOS™5功率MOSFET针对轻型电动汽车和电池管理系统。


IPB018N10N5


IPB018N10N5的特性

  • 非常低的RDS(开)
  • 输出电容降低高达44%
  • 工业标准包

  • IPB018N10N5优势

  • 更少的并行和冷却要求
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 低电压超调

  • IPB018N10N5规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 176 A
    IDpuls 704 A
    工作温度 -55 °C   175 °C
    Ptot 375 W
    D2PAK (TO-263)
    QG(类型@10V)168 nC
    RDS (on) (@10V) 1.83 mΩ
    VDS公司 100 V
    vg (th) 3 V   2.2 V   3.8 V
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    IPB018N10N5中文参数_功能图_现货专卖


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    文章标签: 芯片
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