IPDQ65R060CFD7前往购买
IPDQ65R060CFD7中文参数_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 88 2023-12-07 13:12:24
英飞凌采用QDPAK封装的650 V CoolMOS™cfd7超结MOSFET IPDQ65R060CFD7非常适合工业应用中的谐振拓扑,如服务器,电信,太阳能和开发充电站,与竞争对手相比,它可以显着提高效率作为cfd2 SJ MOSFET系列的继任者,它具有降低栅极电荷,改善关断行为,。
IPDQ65R060CFD7的特性
IPDQ65R060CFD7优势
IPDQ65R060CFD7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 45 A |
| ID | 45 A |
| IDpuls | 139 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 272 W |
| 包 | QDPAK TSC (HDSOP) |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 65 nC |
| 路上 | 65 nC |
| RDS (on) (@10V) | 60 mΩ |
| RDS(上) | 60 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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