IPC331N15NM5R前往购买
IPC331N15NM5R产品参数_产品特点_原厂出售
IC先生 网络 54 2023-12-07 11:01:00
英飞凌的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 RDS(on) (与采用 SuperSO8 的竞品相比高达 25%)和 Qrr，在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（SuperSO8 中最低的 Qrr = 26nC）提高了换向坚固性。
150V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。产品针对同步整流进行了优化，非常适合高频开关应用。现在，通过降低开关和通态损耗、提高功率密度的举措，有效改善了系统效率。因此，并联需求减少使最终产品更坚固，从而降低了整体系统成本。
在需要并联的情况下，与之前的 OptiMOS™ 相比，OptiMOS™ 5 提供了出色的先决条件和改进的阈值电压扩展。
IPC331N15NM5R 的开发重点是模块集成，特别适用于并联 MOSFET 的模块。单片集成的栅极电阻器使并联连接的所有 MOSFET 的栅极端都可以直接互连，客户不需要在模块内部再额外使用分立电阻器。可根据要求为 RG int 进行分箱。
IPC331N15NM5R的特性
- 片内集成栅极电阻针对模块中的应用进行了优化
- 超低恢复电荷 Qrr
- 超低输出电容 Coss
- 与前一代相比 RDS(on) 降低
IPC331N15NM5R优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 并联需求减少
- 功率密度增加
- 低电压过冲
- 并联 MOSFET 在模块级能较为容易地进行栅极互连
IPC331N15NM5R规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| | |产品组 | Die Form |
| 模具尺寸(面积) | 33.13 mm² |
| 模具尺寸(Y) | 4.7 mm |
| 模具尺寸(X) | 7.05 mm |
| 东亚峰会/雪崩能量 | 70 mJ |
| 模式 | Enhancement |
| 极性 | N |
| RDS(上) | 2.9 mΩ |
| 技术 | OptiMOS™ 5 |
| 厚度 | 246 |
| VDS公司 | 150 V |
| VDS公司 | 150 V |
| vg (th) | 3 V 4.6 V |
热点资讯
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
