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BSC010NE2LSI规格参数_产品特征_原装销售
IC先生 网络 17 2023-12-07 15:00:21
英飞凌凭借 OptiMOS™ 25V 产品系列，为分立功率 MOSFET 和封装系统树立功率密度和能效新标准。极低的栅极和输出电荷，结合极低的导通状态电阻和小体积封装，使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。可用于半桥配置（功率级 5x6）。
BSC010NE2LSI规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.81 |
| 独联体 | 4200 pF |
| 输出电容 | 1800 pF |
| ID(@25°C) | 236 A |
| IDpuls | 944 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 96 W |
| 包 | SuperSO8 5x6 |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 29 nC |
| QG(类型@10V) | 59 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) | 1.4 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) | 1.4 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 1.05 mΩ |
| 仅仅 | 1.3 K/W |
| 特殊功能 | Monolithically Integrated Schottky-like Diode |
| VDS公司 | 25 V |
| vg (th) | 1.75 V 1.2 V 2 V |
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