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IPT65R190CFD7中文参数_功能图_原装原厂

IC先生 网络 50 2023-12-07 16:12:41

英飞凌采用人数封装的650 V CoolMOS™cfd7超结MOSFET IPT65R190CFD7非常适合工业应用中的谐振拓扑,如服务器,电信,太阳能和开发充电站,与竞争对手相比,它可以显着提高效率作为cfd2 SJ MOSFET系列的继任者,它具有降低栅极电荷,改善关断行为,。


IPT65R190CFD7


IPT65R190CFD7的特性

  • 超快体二极管和极低的Qrr
  • 650v击穿电压
  • 与竞争对手相比,显著减少了转换损失
  • 最低RDS(on)依赖于温度

  • IPT65R190CFD7优势

  • 优异的硬换流坚固性
  • 增加母线电压设计的额外安全余量
  • 提高功率密度
  • 在工业SMPS应用中具有出色的轻负载效率
  • 提高了工业SMPS应用的满负荷效率
  • 与市场上其他产品相比,具有价格竞争力

  • IPT65R190CFD7规格参数

    产品属性属性值
    IDpuls 44 A
    越来越多的SMT
    TOLL (HSOF-8)
    极性N
    路上22 nC
    RDS(上) 190 mΩ
    VDS公司 650 V
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    文章标签: 芯片
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