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IPN60R2K0PFD7S规格参数_产品特点_现货出售
IC先生 网络 63 2023-12-07 13:06:03
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7，可用于消费类应用。采用 SOT-223 封装的 IPN60R2K0PFD7S，其 RDS(on) 为 2,000mOhm，降低了开关损耗。600V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET 配置了快速体二极管，可确保器件坚固耐用，进而为客户减少物料清单（BOM）。英飞凌先进的 SMD 封装进一步减少了 PCB 空间，可促进生产。
该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS™与 P7 和 CE MOSFET 技术相比， 600V CoolMOS™ PFD7 的轻载和满载效率提高，功率密度提高了 1.8W / inch3。
IPN60R2K0PFD7S的特性
- FOM RDS(on) x Eoss 非常低
- 集成坚固耐用的快速体二极管
- 高达 2kV 的静电放电保护
- 广泛的 RDS(on) 数值
- 出色的换向强度
- 低 EMI
- 广泛的产品封装组合
IPN60R2K0PFD7S优势
- 开关损耗非常小
- 与新型 CoolMOS™ 充电器技术相比，提高了功率密度
- 与 CoolMOS™ CE 技术相比，在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
- 降低了物料清单成本，易于生产
- 坚固耐用
- 可轻松选择合适的部件进行设计微调
IPN60R2K0PFD7S规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID | 3 A |
| ID(@25°C) | 3 A |
| IDpuls | 4.5 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 6 W |
| 包 | SOT-223 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| 路上 | 3.8 nC |
| RDS(上) | 2000 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 2000 mΩ |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 600 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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