ISP650P06NM前往购买
ISP650P06NM中文参数_产品特点_原装供应
IC先生 网络 65 2023-12-08 14:53:09
说- 223封装的OptiMOS™p通道60 v mosfet非常适合负载开关,电池管理以及反极性保护应用OptiMOS™p沟道mosfet的主要优点是简化了中低功耗应用的设计复杂性英飞凌的OptiMOS p沟道mosfet与微控制器(单片机)的简单接口,快速开关以及雪崩坚固性使其适合高质量要求的应用由于低路上,该产品在低负载下提高了效率有正常电平和逻辑电平两种,具有宽RDS(上)范围。
ISP650P06NM的特性
ISP650P06NM优势
ISP650P06NM规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.52 |
| ID(@25°C) | -3.7 A |
| IDpuls | -14.8 A |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 4.2 W |
| 包 | SOT-223 |
| 极性 | P |
| QG(类型@10V) | -39 nC |
| RDS (on) (@10V) | 65 mΩ |
| 特殊功能 | Small Power |
| VDS公司 | -60 V |
| vg (th) | -2.1 V -4 V |
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