IPW65R080CFDA中文参数_功能图_原装原厂
IC先生 网络 25 2023-12-08 16:42:04
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求,还集成快速体二极管。
IPW65R080CFDA的特性
- 市场首款 650V 汽车应用技术,集成体二极管
- 硬换向期间限制电压过冲——自限制 di/dt 和 dv/dt
- 低栅极电荷值 Q g
- 体二极管重复换向 Q rr 低且 Q oss 低
- 减少导通和关断延迟时间
- 符合 AEC Q101 标准
IPW65R080CFDA优势
- 阻断电压更高,提高安全裕度
- 降低电磁干扰,易于设计导入
- 提高轻载效率
- 开关损耗低
- 开关频率更高并且/或者占空比更高
- 高质量和可靠性
IPW65R080CFDA规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
预算价格€/ 1000 | 6.36 |
ID(@25°C) | 43.3 A |
IDpuls | 137 A |
越来越多的 | THT |
工作温度 | -40 °C 150 °C |
Ptot | 391 W |
包 | PG-TO247-3 |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 161 nC |
路上 | 161 nC |
资格 | Automotive |
RDS(上) | 80 mΩ |
RDS (on) (@10V) | 80 mΩ |
仅仅 | 0.32 K/W |
RthJA | 62 K/W |
RthJC | 0.32 K/W |
特殊功能 | automotive |
技术 | CoolMOS™ CFDA |
拓扑结构 | Full Bridge |
VDS公司 | 650 V |
vg (th) | 4.5 V ; 3.5 V |
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