IPL65R115CFD7前往购买
IPL65R115CFD7中文参数_功能特性_原装销售
IC先生 网络 63 2023-12-08 09:44:54
英飞凌 650 V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R115CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装，尤为适合工业应用中的谐振拓扑结构，如服务器、电信、太阳能及电动汽车充电站，其效率相较于竞品有了大幅度的提高。 作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，该器件的栅极电荷更低，关断性能更优异且反向恢复电荷更少，因此可显著提高效率与功率密度，额外提升 50V 的击穿电压。
IPL65R115CFD7的特性
- 超快体二极管和极低 Qrr
- 650 V 击穿电压
- 相较于竞品，开关损耗显著降低
- 极低的 RDS(on) 温度依赖度
IPL65R115CFD7优势
- 出色的硬换向稳健性
- 高总线电压提供额外的设计安全裕度
- 实现更高功率密度
- 工业 SMPS 应用中的卓越轻载效率
- 工业 SMPS 应用中的出色满载效率
- 比市场竞品更有竞争力的价格
IPL65R115CFD7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 24 A |
| ID | 24 A |
| IDpuls | 82 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 144 W |
| 包 | ThinPAK 8x8 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 41 nC |
| 路上 | 41 nC |
| RDS (on) (@10V) | 115 mΩ |
| RDS(上) | 115 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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