IPD046N08N5前往购买
IPD046N08N5中文参数_产品特性_原装供应
IC先生 网络 56 2023-12-08 11:40:14
OptiMOS™ 5 80V 英飞凌新一代功率MOSFET，它针对通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用八个种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。
IPD046N08N5的特性
- 针对同步整流进行优化
- 非常适合高开关频率
- 输出电容提升，高达 44%
- R DS(on) 与前一代相比降低高达 43%
IPD046N08N5优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 减少并联
- 增加功率密度
- 低电压过冲
IPD046N08N5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.87 |
| ID(@25°C) | 90 A |
| IDpuls | 360 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 125 W |
| 包 | DPAK (TO-252) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 42 nC |
| Qgd | 9 nC |
| RDS (on) (@10V) | 4.6 mΩ |
| 仅仅 | 0.7 K/W |
| RthJA | 75 K/W |
| RthJC | 1.2 K/W |
| VDS公司 | 80 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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