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IRF1018E中文参数_产品特点_现货专卖

IC先生 网络 50 2023-12-08 14:10:34

StrongIRFET™功率MOSFET系列针对低RDS(上)和大电流能力进行了优化该器件是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择全面的产品组合涉及广泛的应用,包括直流电机,电池管理系统,逆变器和直流-直流转换器。


IRF1018E


IRF1018E的特性

  • 行业标准通孔电源封装
  • 大电流评级
  • 产品质量符合JEDEC标准
  • 硅优化的应用切换低于100 kHz
  • 与上一代硅相比,更柔软的体二极管
  • 广泛的投资组合

  • IRF1018E优势

  • 标准引脚允许在更换下降
  • 大电流承载能力包
  • 行业标准资质等级
  • 在低频应用中具有高性能
  • 提高功率密度
  • 为设计人员选择最适合其应用的设备提供了灵活性

  • IRF1018E规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.37
    ID(@25°C) 79 A
    越来越多的THT
    工作温度 -55 °C   175 °C
    Ptot 110 W
    TO-220
    极性N
    QG(类型@10V)46 nC
    Qgd12 nC
    RDS (on) (@10V) 8.4 mΩ
    RthJC 1.32 K/W
    Tj 175 °C
    VDS公司 60 V
    vg (th) 3 V   2 V   4 V
    vg 20 V
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    IRF1018E中文参数_产品特点_现货专卖


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    文章标签: 芯片
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