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6ED2231S12T中文规格_产品特性_原装现货

IC先生 网络 47 2023-12-08 09:37:51

EiceDRIVER™1200 V三相栅极驱动器,具有典型的035源电流水槽和065电流,DSO-24引线封装forIGBT(绝缘栅双极晶体管)/ SiC(碳化硅)模块和分立器件通过利用我们的1200 V薄膜绝缘体上硅(SOI)技术,6 ed2231s12t具有独特的,可测量的优势,包括三个低欧姆集成自启动二极管(BSD)和业界一流的鲁棒性,以防止负瞬态电压尖峰6 ed2231s12t是一款高压,高速IGBT栅极驱动器,具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道,适用于三相应用6 ed2231s12t集成了保护功能,如过流保护,快速,准确的故障报告(+ / - -5%),穿透保护,以及更严格的欠压锁定(UVLO)保护集成在DSO-24封装中DSO-24封装(去掉4引脚的DSO-28)提供了小IC封装和间隙距离之间的最佳权衡6 ed2231s12t非常适合6千瓦或更高功率水平的低功耗设计,并具有额外的外部缓冲电流驱动器当与英飞凌IGBT / SiC模块(如EasyPACK 1 b™或EasyPACK 2 b™)结合使用时,。


6ED2231S12T


6ED2231S12T的特性

  • 1200-V薄膜soi技术
  • 集成超快速引导二极管
  • soi技术提供的负瞬态电压容忍度高达-100 V(脉冲宽度高达700 ns)
  • 输出源/吸收电流能力+0.35 A/-0.65 A
  • 过流保护(ITRIP +/- 5%参考值)
  • 集成460秒死区保护
  • 穿透(交叉传导)保护
  • 集成输入滤波器抗噪
  • 独立的欠压锁定VCC和VBS与紧UVLO电平
  • 故障报告、自动故障清除和同一引脚(RFE)上的Enable功能
  • 匹配所有信道的传播延迟
  • 3.3 V、5v、15v输入逻辑兼容
  • DSO-24封装(DSO-28带有4个引脚,用于高间隙)

  • 6ED2231S12T


    6ED2231S12T优势

  • 3相门驱动与集成的自引导二极管在微小的足迹提供降低BOM成本,更小的PCB空间,更低的成本和更简单的设计
  • 优化栅极驱动器解决方案,具有设计灵活性,适用于基于IGBT/SiC的PIM,分立开关
  • 100v负VS增加可靠性/稳健性
  • 50%的低电平漂移损耗导致更低的温度操作和更高的可靠性
  • 锁定免疫增加了可靠性
  • 快速准确的集成过流保护,与分立运放组件解决方案相比,在保护开关的同时节省空间和成本
  • 欠压锁定在低电源电压下提供保护
  • DSO-24封装(去掉4引脚的DSO-28)提供了小IC封装和间隙距离之间的最佳权衡

  • 6ED2231S12T规格参数

    产品属性属性值
    渠道6
    配置Three Phase
    输入电源电压 13 V   20 V
    隔离型SOI (Silicon On Insulator) ; Functional levelshift
    输出电流(源)0.35 A
    输出电流(吸收)0.65 A
    关闭传播延迟650 ns
    打开传播延迟700 ns
    VBS UVLO(开)12.2 V
    VBS UVLO(关闭)11.3 V
    VCC UVLO(开)12.2 V
    VCC UVLO(关闭)11.3 V
    电压等级1200 V
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