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IPB020N08N5产品参数_产品特性_原装销售
IC先生 网络 89 2023-12-08 15:56:19
英飞凌的soptimos™5 80 v工业功率MOSFET IPB020N08N5与前几代产品相比,RDS(上)降低了43%,非常适合高开关频率该系列的器件是专门为同步整流,电子控制和服务器电源而设计的此外,它们还可以用于其他工业应用,如太阳能、低压驱动器和适配器。
IPB020N08N5的特性
- 针对同步整流进行优化
- 非常适合高开关频率
- 输出电容降低高达 44%
- RDS(on) 降低高达 43%
IPB020N08N5优势
- 高系统效率
- 降低开关和通态损耗
- 减少并联
- 增加功率密度
- 低电压过冲
IPB020N08N5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 2.01 |
| 独联体 | 9300 pF |
| 输出电容 | 1500 pF |
| ID(@25°C) | 173 A |
| IDpuls | 480 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 300 W |
| 包 | D2PAK (TO-263) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 133 nC |
| RDS (on) (@10V) | 2 mΩ |
| 仅仅 | 0.5 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| VDS公司 | 80 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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