IQDH45N04LM6CG前往购买
IQDH45N04LM6CG产品规格_产品特点_原装供应
IC先生 网络 19 2023-12-08 09:48:56
功率MOSFET IQDH45N04LM6CG 40 V采用PQFN 5 x6 mm2Source-Downpackage该部件的RDS(上)非常低,为045Ω,同时具有出色的热性能,易于功率损耗管理这为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度,如电池供电工具,smp,电信电力和高性能计算中的中间总线转换,如超大规模数据中心和人工智能服务器场。
IQDH45N04LM6CG的特性
IQDH45N04LM6CG优势
IQDH45N04LM6CG规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 637 A |
| IDpuls | 2548 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| 包 | PQFN 5x6 Source-Down |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 129 nC |
| QG (type @4.5V) | 62 nC |
| RDS (on) (@4.5V) | 0.58 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 0.45 mΩ |
| VDS公司 | 40 V |
| vg (th) | 1.6 V 1.3 V 2.3 V |
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