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IPN95R2K0P7产品参数_产品特性_原装现货

IC先生 网络 86 2023-12-08 14:01:41

为满足高压mosfet领域日益增长的消费者需求,最新的950 v CoolMOS™p7技术专注于低功耗smp市场与前代产品900 v CoolMOS™C3相比,950 v CoolMOS™p7系列的阻断电压高出50 v,在效率,热性能和易用性方面具有出色的性能与其他p7系列产品一样,950 v CoolMOS™p7系列具有集成齐纳二极管ESD保护集成二极管大大提高了ESD稳健性,从而降低了与ESD相关的良率损失,并达到了卓越的易用性水平CoolMOS™p7具有同类最佳的vg (th) 3 v和仅±5 v的窄公差,这使其易于驱动和设计。


IPN95R2K0P7


IPN95R2K0P7的特性

  • 同类最佳的fdm RDS(on) os;
  • 同类最佳的DPAK RDS(上)450 mΩ
  • 最佳VGS(th)为3V,最小VGS(th)变化±0.5V
  • 集成齐纳二极管ESD保护等级2级(HBM)
  • 一流的质量和可靠性

  • IPN95R2K0P7优势

  • 与CoolMOS™C3相比,效率提高高达1%,MOSFET温度降低2°C至10°C
  • 实现更高的功率密度设计,节省BOM,降低组装成本
  • 易于驾驶和设计
  • 通过减少与ESD相关的故障来提高产量
  • 减少生产问题,降低油田收益

  • IPN95R2K0P7规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 4 A
    ID 4 A
    IDpuls 10 A
    越来越多的SMT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 7 W
    SOT-223
    销数3 Pins
    极性N
    QG(类型@10V)10 nC
    路上10 nC
    RDS (on) (@10V) 2000 mΩ
    RDS(上) 2000 mΩ
    特殊功能price/performance
    VDS公司 950 V
    vg (th) 3 V   2.5 V   3.5 V
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    IPN95R2K0P7产品参数_产品特性_原装现货


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