IRF530N前往购买
IRF530N中文规格_功能特性_原装现货
IC先生 网络 73 2023-12-08 13:12:17
红外MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电机,逆变器,smp,照明,负载开关以及电池供电应用这些器件有多种表面贴装和通孔封装,采用行业标准封装,便于设计。
IRF530N的特性
IRF530N优势
IRF530N规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.28 |
| ID(@25°C) | 17 A |
| 越来越多的 | THT |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 79 W |
| 包 | TO-220 |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 24.7 nC |
| Qgd | 4.8 nC |
| RDS (on) (@10V) | 90 mΩ |
| RthJC | 1.9 K/W |
| Tj | 175 °C |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 3 V 2 V 4 V |
| vg | 20 V |
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