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IPN70R1K2P7S产品规格_产品特征_现货专卖
IC先生 网络 112 2023-12-08 09:10:56
CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计，具有优异性能和易用性，改进外形规格，提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品，还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放，具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS™ P7 完美适用于目标应用。
700V 和 800V CoolMOS™ P7 针对反激式拓扑进行优化600V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET 适用于软硬开关拓扑（反激式、PFC 和 LLC）。
消费品应用
IPN70R1K2P7S规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.17 |
| 独联体 | 174 pF |
| 输出电容 | 3.6 pF |
| ID(@25°C) | 4.5 A |
| ID | 4.5 A |
| IDpuls | 9.4 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -40 °C 150 °C |
| Ptot | 6.3 W |
| 包 | SOT-223 |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 4.8 nC |
| 路上 | 4.8 nC |
| Qgd | 1.9 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1200 mΩ |
| RDS(上) | 1200 mΩ |
| RthJA | 160 K/W |
| 特殊功能 | price/performance |
| VDS公司 | 700 V |
| vg (th) | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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