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BSC028N06NSSC中文参数_产品特征_原装供应

IC先生 网络 58 2023-12-08 09:30:33

OptiMOS™5 60 V功率MOSFETsinSuperSO8 DSC(双面冷却)封装提供双面冷却解决方案的所有热管理优势,具有行业标准的占地面积SuperSO8 DSC具有优异的热性能,具有两个散热路径(底部通过PCB +顶部通过暴露的夹子和散热器),MOSFET芯片上产生的热量约30%通过顶部传递,传递到PCB的热量较少因此,。


BSC028N06NSSC


BSC028N06NSSC的特性

  • 高性能硅技术
  • 低顶侧RthJC (0.72 K/W)
  • 包装额定TJmax=175ºC
  • 符合行业标准,兼容SuperSO8和PQFN 5x6产品

  • BSC028N06NSSC优势

  • 更低的传导损耗和开关损耗,提高系统效率
  • 改善散热,提高功率密度,提高可靠性
  • 优越的功率处理能力和耐用性,使用寿命更长
  • 插入式替代SuperSO8和PQFN 5x6易于设计,无需改变PCB布局

  • BSC028N06NSSC规格参数

    产品属性属性值
    预算价格€/ 10000.87
    ID(@25°C) 137 A
    IDpuls 548 A
    工作温度 -55 °C   175 °C
    Ptot 100 W
    SuperSO8 5x6 DSC
    极性N
    QG(类型@10V)37 nC
    RDS (on) (@10V) 2.8 mΩ
    VDS公司 60 V
    vg (th) 2.8 V   2.1 V   3.3 V
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    文章标签: 芯片
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