IPB65R041CFD7前往购买
IPB65R041CFD7中文参数_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 115 2023-12-09 11:32:35
英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。
作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R041CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。
IPB65R041CFD7的特性
- 采用超快体二极管，Qrr 极低
- 650V 击穿电压
- 相较于竞品，开关损耗显著降低
- RDS(on) 的温度依赖性极低
IPB65R041CFD7优势
- 出色的硬换向稳健性
- 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度
- 可实现更高的功率密度
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
- 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
- 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力
IPB65R041CFD7规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| ID(@25°C) | 50 A |
| ID | 50 A |
| IDpuls | 211 A |
| 越来越多的 | SMT |
| 工作温度 | -55 °C 150 °C |
| Ptot | 227 W |
| 包 | D2PAK (TO-263) |
| 销数 | 3 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 102 nC |
| 路上 | 102 nC |
| RDS (on) (@10V) | 41 mΩ |
| RDS(上) | 41 mΩ |
| VDS公司 | 650 V |
| vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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