IPT015N10N5前往购买
IPT015N10N5产品参数_功能特性_原装销售
IC先生 网络 99 2023-12-09 14:32:32
英飞凌的OptiMOS™——无铅封装功率MOSFET针对高达300的大电流应用进行了优化,例如叉车,轻型电动汽车(LEV),电动工具,负载点(POL),电信和电子保险丝此外,60%的小封装尺寸使一个非常紧凑的设计与d2 PAK 7引脚相比,——无铅的显着减少了30%的占地面积高度降低了50%,在机架或刀片服务器等狭窄的应用程序中具有显著的优势。
IPT015N10N5的特性
IPT015N10N5优势
IPT015N10N5规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 电池电压 | 48-72 V |
| 预算价格€/ 1000 | 3.09 |
| 独联体 | 12000 pF |
| 输出电容 | 1800 pF |
| ID(@25°C) | 300 A |
| IDpuls | 1200 A |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 375 W |
| 包 | TOLL (HSOF-8) |
| 销数 | 8 Pins |
| 极性 | N |
| QG(类型@10V) | 169 nC |
| RDS (on) (@10V) | 1.5 mΩ |
| 仅仅 | 0.4 K/W |
| RthJA | 62 K/W |
| VDS公司 | 100 V |
| vg (th) | 3 V 2.2 V 3.8 V |
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