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IPDQ65R125CFD7中文规格_功能特性_原厂出售

IC先生 网络 84 2023-12-09 16:06:35

英飞凌采用QDPAK封装的650 V CoolMOS™cfd7超结MOSFET IPDQ65R125CFD7非常适合工业应用中的谐振结构,如服务器,电信,太阳能和开发充电站,与竞争对手相比,它可以显着提高效率作为cfd2 SJ MOSFET系列的继任者,它具有降低栅极电荷,改善关断行为,。


IPDQ65R125CFD7


IPDQ65R125CFD7的特性

  • 超快体二极管和极低的Qrr
  • 650v击穿电压
  • 与竞争对手相比,显著减少了转换损失
  • 最低RDS(on)依赖于温度

  • IPDQ65R125CFD7优势

  • 优异的硬换流坚固性
  • 增加母线电压设计的额外安全余量
  • 提高功率密度
  • 在工业SMPS应用中具有出色的轻负载效率
  • 提高了工业SMPS应用的满负荷效率
  • 与市场上其他产品相比,具有价格竞争力

  • IPDQ65R125CFD7规格参数

    产品属性属性值
    ID(@25°C) 24 A
    ID 24 A
    IDpuls 66 A
    越来越多的SMT
    工作温度 -55 °C   150 °C
    Ptot 160 W
    QDPAK TSC (HDSOP)
    极性N
    QG(类型@10V)32 nC
    路上32 nC
    RDS (on) (@10V) 125 mΩ
    RDS(上) 125 mΩ
    VDS公司 650 V
    vg (th) 4 V   3.5 V   4.5 V
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    文章标签: 芯片
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