IPDQ65R125CFD7中文规格_功能特性_原厂出售
IC先生 网络 84 2023-12-09 16:06:35
英飞凌采用QDPAK封装的650 V CoolMOS™cfd7超结MOSFET IPDQ65R125CFD7非常适合工业应用中的谐振结构,如服务器,电信,太阳能和开发充电站,与竞争对手相比,它可以显着提高效率作为cfd2 SJ MOSFET系列的继任者,它具有降低栅极电荷,改善关断行为,。
IPDQ65R125CFD7的特性
IPDQ65R125CFD7优势
IPDQ65R125CFD7规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
ID(@25°C) | 24 A |
ID | 24 A |
IDpuls | 66 A |
越来越多的 | SMT |
工作温度 | -55 °C 150 °C |
Ptot | 160 W |
包 | QDPAK TSC (HDSOP) |
极性 | N |
QG(类型@10V) | 32 nC |
路上 | 32 nC |
RDS (on) (@10V) | 125 mΩ |
RDS(上) | 125 mΩ |
VDS公司 | 650 V |
vg (th) | 4 V 3.5 V 4.5 V |
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