IRL60HS118前往购买
IRL60HS118产品规格_产品功能_原厂出售
IC先生 网络 44 2023-12-09 17:13:35
英飞凌的新型逻辑电平功率MOSFET有三种不同的电压等级（60 V，80 V和100 V），非常适合无线充电，通信和适配器应用。PQFN 2x2封装特别适用于高速开关和外形尺寸重要的应用。它可以实现更高的功率密度和更高的效率以及显著的空间节省。VGS
IRL60HS118的特性
- 极低的FOM (RDS(on) x Qg/gd)
- 优化Q g ，C oss和Q rr，实现快速切换
- 逻辑电平兼容
- 微型PQFN 2 x 2 mm 封装
IRL60HS118优势
- 极小的封装尺寸
- 更高的功率密度设计
- 更高的开关频率
- 5 V 供电可用时即可减少器件数量
- 微控制器直接驱动（慢开关）
- 降低系统成本
IRL60HS118规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 预算价格€/ 1000 | 0.32 |
| ID(@25°C) | 18.5 A |
| IDpuls | 56 A |
| 越来越多的 | SMD |
| 工作温度 | -55 °C 175 °C |
| Ptot | 11.5 W |
| 包 | PQFN 2 x 2 (DFN2020) |
| 极性 | N |
| QG (type @4.5V) | 5.3 nC |
| Qgd | 2.1 nC |
| RDS (on) (@4.5V LL) | 23.5 mΩ |
| RDS (on) (@4.5V) | 23.5 mΩ |
| RDS (on) (@10V) | 17 mΩ |
| 仅仅 | 13 K/W |
| RthJA | 60 K/W |
| RthJC | 13 K/W |
| VDS公司 | 60 V |
| vg (th) | 1.7 V 1.2 V 2.3 V |
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