2ED2183S06F前往购买
2ED2183S06F产品参数_产品特征_现货专卖
IC先生 网络 103 2023-12-09 12:14:12
是650 V 半桥大电流高速栅极驱动器，可驱动 MOSFET和IGBT，它采用DSO-8封装，具有典型的2.5 A灌电流和源电流。您亦可选购DSO-14封装版本，获取更大的爬电距离： 2ED21834S06J。
基于英飞凌SOI技术, 它对VS引脚的负瞬态电压有着出色的耐用性和抗干扰性。该器件没有采用寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下，都不存在寄生闩锁效应。
2ED2183S06F的特性
- 工作电压（VS节点）高达 + 650 V
- VS负瞬态抗扰 100 V
- 集成超快、低电阻自举二极管, 减少了物料清单成本
- 浮动通道，用于自举操作
- 集成直通保护，内置死区时间（400 ns）
- 最大电源电压：25 V
- 两个通道均具有独立的欠压锁定（UVLO）
- 传播延时：200 ns
- HIN, /LIN 输入逻辑
- VS引脚的逻辑操作高达–11 V
- 输入负电压容差：–5 V
- 浮动通道可用于驱动采用高边配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
2ED2183S06F优势
- 大电流栅极驱动器——适用于大电流功率器件和高频应用
- 集成自举二极管（BSD）——通过更简单的设计、更低的成本来节省空间、降低物料清单成本和缩小PCB尺寸
- 电平转换损失减少50%
- 对VS引脚的负瞬态电压（-100 V）有着出色的耐用性和抗干扰能力
2ED2183S06F规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 渠道 | 2 |
| 配置 | Half Bridge |
| 输入电源电压 | 10 V 20 V |
| 隔离型 | Functional levelshift |
| 输出电流(吸收) | 2.5 A |
| 输出电流(源) | 2.5 A |
| 关闭传播延迟 | 200 ns |
| 打开传播延迟 | 200 ns |
| VBS UVLO(开) | 8.2 V |
| VBS UVLO(关闭) | 7.2 V |
| VCC UVLO(开) | 9.1 V |
| VCC UVLO(关闭) | 8.2 V |
| 电压等级 | 650 V |
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