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STGSB200M65DF2AG中文参数_引脚特性_原装销售
IC先生 网络 64 2023-12-15 09:19:44
概述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆变器系统性能与效率之间的理想平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，它的VCE(sat)正温度系数特性和紧密的参数分布，使得并联操作更为安全。ACEPACK SMIT表面贴装式电源封装采用了DBC基板，热阻极低，并配有电气隔离顶端散热垫。
STGSB200M65DF2AG符号图
STGSB200M65DF2AG功能参数
- 符合AEC-Q101标准
- 最短短路耐受时间为6 μs
- VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 200 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 晶片位于直接敷铜 (DBC) 基板上
- 隔离额定值3400 Vrms/min
- Ul认可：UL 1557文件E81734
STGSB200M65DF2AG引脚图
STGSB200M65DF2AG 3D图
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芯片
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