STGF14NC60KD功能参数_产品特点_原装供应
IC先生 网络 78 2023-12-15 09:10:15
概述
该IGBT采用先进的PowerMESH工艺,在开关性能和低导通状态行为之间实现了良好的权衡。
STGF14NC60KD符号图
STGF14NC60KD功能参数
- 耐短路时间10μs
- 低Cres / Cies比率(无交叉导率)
- 低导通压降(VCE(sat))
- 非常软超快速恢复反平行二极管
- 开关损耗包括二极管恢复能量
STGF14NC60KD引脚图
STGF14NC60KD 3D图
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芯片
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