STGF30H65DFB2前往购买
STGF30H65DFB2中文规格_产品特性_原装原厂
IC先生 网络 107 2023-12-15 13:44:56
概述
最新的IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场止动结构的演变。
CE(坐)
在低电流值下的行为，以及在降低开关能量方面。
STGF30H65DFB2符号图
STGF30H65DFB2功能参数
- 最高结温:TJ = 175℃
- 低VCE(sat) = 1.65 V(类型)@ IC = 30 A
- 非常快速和软恢复共封装二极管
- 尾电流最小
- 严密的参数分布
- 低热阻
- 正VCE(sat)温度系数
STGF30H65DFB2引脚图
STGF30H65DFB2 3D图
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芯片
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