STGW80H65DFB前往购买
STGW80H65DFB中文规格_符号图_原装现货
IC先生 网络 93 2023-12-15 14:40:11
概述
这些器件是采用先进的专有沟槽栅场阻结构开发的igbt。
CE(坐)
温度系数和非常严密的参数分布使并联运行更加安全。
STGW80H65DFB符号图
STGW80H65DFB功能参数
- 最高结温:TJ = 175℃
- 高速开关系列
- 尾电流最小
- 低饱和电压:VCE(sat) = 1.6 V(类型)@ IC = 80a
- 严密的参数分布
- 安全的并联
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 非常快的软恢复反平行二极管
STGW80H65DFB引脚图
STGW80H65DFB 3D图
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芯片
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