STD80N240K6前往购买
STD80N240K6产品规格_产品符号_原装销售
IC先生 网络 62 2023-12-16 13:24:53
概述
这种超高电压N沟道功率MOSFET基于意法半导体20年的超结技术经验，采用终极MDmesh K6技术设计而成。其结果为最佳单位面积导通电阻和栅极电荷，适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。
STD80N240K6符号图
STD80N240K6功能参数
- 全球最佳RDS(on) x 面积
- 全球出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
STD80N240K6引脚图
STD80N240K6 3D图
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芯片
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