STP4N80K5前往购买
STP4N80K5规格参数_产品符号_原装现货
IC先生 网络 92 2023-12-16 15:58:31
概述
这款超高压N-沟道功率MOSFETs 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
STP4N80K5符号图
STP4N80K5功能参数
- 业界领先的低RDS(on)x 面积
- 业界出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
STP4N80K5引脚图
STP4N80K5 3D图
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