STO67N60DM6前往购买
STO67N60DM6产品规格_引脚特性_原装原厂
IC先生 网络 96 2023-12-17 12:39:15
概述
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
STO67N60DM6符号图
STO67N60DM6功能参数
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100％雪崩测试
- 非常高的dv / dt耐用性
- 稳压保护
- 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能
STO67N60DM6引脚图
STO67N60DM6 3D图
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