STD36P4LLF6前往购买
STD36P4LLF6产品参数_功能特性_原装供应
IC先生 网络 100 2023-12-18 12:47:11
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的p沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STD36P4LLF6符号图
STD36P4LLF6功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STD36P4LLF6引脚图
STD36P4LLF6 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
