STD45P4LLF6AG前往购买
STD45P4LLF6AG中文规格_产品符号_原厂出售
IC先生 网络 104 2023-12-18 16:00:06
概述
该器件是采用stripet™F6技术开发的p沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STD45P4LLF6AG符号图
STD45P4LLF6AG功能参数
- 专为汽车应用和AEC-Q101合格
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STD45P4LLF6AG引脚图
STD45P4LLF6AG 3D图
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芯片
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