STS5P3LLH6前往购买
STS5P3LLH6中文参数_产品功能_原装销售
IC先生 网络 80 2023-12-18 09:43:22
概述
该器件是采用stripet H6技术开发的p沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STS5P3LLH6符号图
STS5P3LLH6功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STS5P3LLH6引脚图
STS5P3LLH6 3D图
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文章标签:
芯片
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