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MJD112前往购买

MJD112功能参数_引脚特性_原装原厂

IC先生 网络 140 2023-12-18 17:51:34

概述

该器件采用平面技术制造，采用“基岛”布局和单片达灵顿结构。

MJD112符号图

MJD112

MJD112功能参数

  • 良好的高频线性度
  • 单片达林顿配置集成反并联集电极-发射极二极管
  • 高频

MJD112引脚图

MJD112

MJD112 3D图

MJD112

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MJD112功能参数_引脚特性_原装原厂


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