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2STR1160功能参数_产品功能_原装供应

IC先生 网络 108 2023-12-18 09:52:34

概述

该器件采用新型“PB-HCD”(功率双极高电流密度)技术制造的NPN晶体管。

互补的PNP是2STR2160。

2STR1160符号图

2STR1160

2STR1160功能参数

  • 极低的集电极-发射极饱和电压
  • 高电流增益特性
  • 切换速度快
  • 用于表面安装电路的微型SOT-23塑料封装

2STR1160引脚图

2STR1160

2STR1160 3D图

2STR1160

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网址: https://www.mrchip.cn/newsDetail/27708
文章标签: 芯片
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