2STR1160功能参数_产品功能_原装供应
IC先生 网络 108 2023-12-18 09:52:34
概述
该器件采用新型“PB-HCD”(功率双极高电流密度)技术制造的NPN晶体管。
互补的PNP是2STR2160。
2STR1160符号图
2STR1160功能参数
- 极低的集电极-发射极饱和电压
- 高电流增益特性
- 切换速度快
- 用于表面安装电路的微型SOT-23塑料封装
2STR1160引脚图
2STR1160 3D图
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芯片
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