SCTW60N120G2前往购买
SCTW60N120G2功能参数_引脚特性_原装原厂
IC先生 网络 61 2023-12-18 08:06:16
概述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的2开发的
nd
第一代SiC MOSFET技术。
SCTW60N120G2符号图
SCTW60N120G2功能参数
- 非常快速和稳健的本体二极管
- 极低栅极电荷和输入电容
- 非常高的工作结温能力(TJ = 200°C)
SCTW60N120G2引脚图
SCTW60N120G2 3D图
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芯片
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