SCTW70N120G2V前往购买
SCTW70N120G2V规格参数_引脚特性_现货出售
IC先生 网络 42 2023-12-18 12:27:42
概述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
SCTW70N120G2V符号图
SCTW70N120G2V功能参数
- 非常高的额定工作结温 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
SCTW70N120G2V引脚图
SCTW70N120G2V 3D图
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芯片
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