SCT10N120前往购买
SCT10N120产品规格_功能图_现货专卖
IC先生 网络 41 2023-12-18 08:06:39
概述
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此，器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻，以及卓越的开关性能，随温度变化极小。碳化硅（SiC）材料具有出色的热性能，与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合，使设计人员能够采用符合行业标准的设计，显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
SCT10N120符号图
SCT10N120功能参数
- 导通电阻随温度变化敏感温度
- 适应非常高的工作温度 (TJ = 200 °C)
- 稳定的超快速本体二极管
- 低电容
SCT10N120引脚图
SCT10N120 3D图
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芯片
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