SCTW90N65G2V功能参数_产品特征_现货出售
IC先生 网络 98 2023-12-18 13:40:53
概述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的2开发的
nd
第一代SiC MOSFET技术。
SCTW90N65G2V符号图
SCTW90N65G2V功能参数
- 非常高的工作结温能力(TJ = 200°C)
- 非常快速和稳健的本体二极管
- 极低的栅电荷和输入电容
SCTW90N65G2V引脚图
SCTW90N65G2V 3D图
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芯片
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