SCTH70N120G2V-7前往购买
SCTH70N120G2V-7中文参数_功能图_原厂出售
IC先生 网络 49 2023-12-18 15:42:13
概述
该碳化硅功率MOSFET晶体管采用ST先进、创新的第二代碳化硅（SiC）MOSFET技术开发而成。该器件单位面积导通电阻极低且具有良好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
SCTH70N120G2V-7符号图
SCTH70N120G2V-7功能参数
- 稳定的超快速本体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 源极感应引脚可提高效率
SCTH70N120G2V-7引脚图
SCTH70N120G2V-7 3D图
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