SCTWA35N65G2V-4前往购买
SCTWA35N65G2V-4中文参数_功能图_原装供应
IC先生 网络 110 2023-12-18 14:31:06
概述
这种碳化硅功率MOSFET器件是使用ST的先进和创新的2开发的
nd
第一代SiC MOSFET技术。
SCTWA35N65G2V-4符号图
SCTWA35N65G2V-4功能参数
- 非常快速和稳健的本体二极管
- 低的功放
- 源感应引脚，提高效率
- 非常高的工作结温能力(TJ = 200°C)
SCTWA35N65G2V-4引脚图
SCTWA35N65G2V-4 3D图
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芯片
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